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结果: 找到相关主题 6546 个
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KND8104A 40V/30A TO-252 N 沟道 | 12mΩ 低内阻功率管
KND8104A 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 40V/30A，典型 Rds (on) 低至 12mΩ，具备快速开关、低 Crss 特性，适配 PWM 控制、电源管理、负载开关等场景，可直接替代 NCE4030K、AOT4030L 等竞品，货源稳定
www.kiaic.com/article/detail/6471.html 2026-06-12
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KCY2203A 30V/200A DFN5*6 N 沟道 | 1.3mΩ 低内阻功率管
KCY2203A 是 KIA 品牌推出的 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/200A，典型 Rds (on) 低至 1.3mΩ，采用 SGT 先进工艺，超低栅极电荷，适配高频 PWM、紧凑型电源、负载开关等场景，可直接替代 NCE30200K、AOTL30200 等竞品，货源稳定
www.kiaic.com/article/detail/6470.html 2026-06-12
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KNP2803S 30V/150A TO-220 N 沟道 | 2.0mΩ 低内阻功率
KNP2803S 30V/150A TO-220 N 沟道 MOSFET | 2.0mΩ 低内阻功率管解决 MOS 管发热、烧毁难题 | KNP2803S 低损耗方案KNP2803S, KNP2803S MOSFET, KNP2803S 30V 150A, KNP2803S TO-220KNP2803S 30V/150A N沟道MOSFET 参数规格bod
www.kiaic.com/article/detail/6469.html 2026-06-12
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KND3203C 30V/100A TO-252 N 沟道 MOSFET | 低内阻功率管
KND3203C 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/100A，典型 Rds (on) 低至 3.2mΩ，采用先进沟槽工艺，开关性能优异，适配电机驱动、电池管理、UPS 电源等场景，可直接替代同规格竞品，货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6468.html 2026-06-11
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KNY3303C 30V/90A DFN5×6 N 沟道 | 低内阻电源开关管
KNY3303C 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/90A，典型 Rds (on) 低至 2.6mΩ，开关速度快、雪崩耐受能力强，适配电源适配器、LED 驱动、工控电源等场景，可直接替代同规格竞品，货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6467.html 2026-06-11
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KNY3903A 30V85A DFN5×6 N 沟道 MOSFET | 低内阻电源管替代方案
KNY3903A 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 30V/85A，典型 Rds (on) 低至 4.0mΩ，开关速度快、抗 dv/dt 干扰能力强，适配电源适配器、LED 驱动、工控小电源等场景，可直接替代同规格竞品，货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6466.html 2026-06-11
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替代进口！KNY3403B DFN5×6 MOSFET 30V/85A，成本更低
想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境？KNY3403B 30V/85A N 沟道 MOSFET 采用 DFN5×6 封装，性能对标进口型号，典型 RDS (ON)=4.5mΩ，支持 Pin-to-Pin 兼容替代，无需改板即可直接替换；具备低导通损耗、低开关损耗、高抗冲击能力，专为 UPS 不...
www.kiaic.com/article/detail/6465.html 2026-06-10
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KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOSFET | DFN3×3 封装参数与选型手册
想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境？KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOSFET 采用 DFN3×3 封装，性能对标进口型号，典型 RDS (ON)=4.1mΩ，支持 Pin-to-Pin 兼容替代，无需改板即可直接替换；具备低导通损耗、低开关损耗、高抗冲击能力，专为快充、电...
www.kiaic.com/article/detail/6464.html 2026-06-10
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KNY3080B 30V 80A MOSFET DFN5×6 低 Rds (ON) 同步整流专用
KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET，采用 DFN5×6 封装，典型 Rds (ON)=4.1mΩ@VGS=10V，总栅极电荷仅 32nC，具备优异的抗 dv/dt 性能，广泛应用于快充同步整流、电池管理系统、不间断电源（UPS），是工程师解决电源效率...
www.kiaic.com/article/detail/6460.html 2026-06-10
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KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管
KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效率KNY3080A、KNY3080A MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N沟道MOSFETKNY3080A（3080A）80A 30V N沟道MOSFET规格参数表* { box-sizing: bo
www.kiaic.com/article/detail/6459.html 2026-06-09
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KNB3403C 30V 80A MOSFET TO-263 大功率管
还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁？KNB3403C 采用先进沟槽工艺，TO-263 大散热封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热性能优异，轻松解决高功率电路损耗高、烧管风险问题。适配快充、BMS、工控电源，兼容 AO3403...
www.kiaic.com/article/detail/6458.html 2026-06-09
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KND3403C 30V N 沟道 MOSFET 替代 AO3403
还在为大功率电源发热大、散热差、效率低发愁？KND3403C 采用先进沟槽工艺，TO-252 封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热性能优异，轻松解决高功率电路损耗高、温升超标问题。适配快充、BMS、工控电源，兼容 AO3403/AON3403...
www.kiaic.com/article/detail/6457.html 2026-06-09
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KNY3403C 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流专用
还在为大电流电源发热大、散热差、效率低发愁？KNY3403C 采用先进沟槽工艺，DFN5*6 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，散热性能优异，轻松解决高功率电路损耗高、温升超标问题。适配快充、BMS、工控电源，兼容 AO3403/AON3403...
www.kiaic.com/article/detail/6456.html 2026-06-08
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KNG3403C 30V 80A MOSFET 快充同步整流专用
还在为快充电源发热大、效率低发愁？KNG3403C 采用先进沟槽工艺，DFN3*3 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on)，80A 大电流、±20V 宽驱动余量，轻松解决同步整流损耗高、温度超标问题。适配 AC/DC 快充、BMS、UPS，兼容 AO3403/AON3403，量产级稳定性，降低售后...
www.kiaic.com/article/detail/6455.html 2026-06-08